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韩国最大的传媒机构《中央日报》中文网

文章来源:未知时间:2019-01-12
韩国半导体行业纷繁开端动手应对中国的半导体逃击,试图甩开与中国的技术差距。韩国半导体行业的两大巨头三星电子和SK海力士接连开端量产世界顶级技术的存储芯片,加快扩大与中国的技术差距。 SK海力士11月12日暗示,公司研发出了应用第二代10纳米级(1y)微加工技术的8Gb DDR4 DRAM。该产物比此前第一代(1x)的消费效率进步了20%,耗电率降低了15%。传送数据时能够一次交换的信号量增加到以前的两倍,将数据传送速度进步到了行业最高程度。SK海力士负责D Lab市场推广的金石(音)常务暗示,“就比如增加高速公路收费处的数量,车辆行驶能够愈加畅达,就是这个原理”,“明年第一季度我们将陆续量产用于电脑和效劳器的新产物,并将尽快推出用于手机的产物”。 三星电子去年11月开端批量消费技术程度相仿的DRAM,本年7月已经开端量产应用更先进的第二代10纳米级(1y)微加工技术的16Gb手机用DRAM。 进入历史最繁荣周期的韩国半导体财产面临的最大威胁即是中国的猛烈逃击。不外,随着上月美国商务部颁布发表对中国福建晋华集成电路公司停止出口造裁,中国的逃击似乎因为中美贸易战争暂时停下了脚步。福建晋华原方案明年年初批量消费DRAM,假如不克不及进口美国配备、软件和零部件等产物,批量消费的时间一定会被推延。 韩国半导体行业虽然没有间接从这件事情中获益,但它给韩国争取了更多时间用来扩大技术差距。业界遍及认为,目前中国存储芯片的技术程度比韩国落后3~5年。虽然如此,中国的半导体逃击仍然是引发需求激增的半导体行业呈现“价格触顶”争议的次要原因。 目前中国方案批量消费的存储芯片与韩国产物的需求层其实不不异。好比说,中国YMTC颁布发表将在明年批量消费的半导体属于32层3D Nand闪存,这是三星电子和SK海力士从2014年开端批量消费的产物,目前两家企业根本已经不再消费这种产物。目前三星和SK海力士消费的主力产物是64-72层3D Nand闪存,与中国企业拉开了宏大的技术差距。Nand闪存用来增加电路的“层数”越多,就需要越高的技术程度,即便同样“层数”的产物,也根据技术程度分为多个级别。三星电子2012年推出20纳米级(2y)DRAM产物后,直到5年后的2017年11月才开端批量消费下一级此外第二代10纳米级DRAM产物。 在Nand闪存范畴,三星电子已经开端为批量消费第六代(120层以上)产物做筹办。 不外,虽然目前还拥有宏大的技术差距,但韩国半导体行业一致认为,中国的技术开展速度对韩国半导体行业产生了宏大威胁。2016年成立的YMTC在中国政府的补助和税收优惠政策搀扶下仅用了短短4年时间就开端批量消费Nand闪存。假如中国正式开端多量量供给半导体产物,半导体的价格一定会呈现下降。全球市场研究公司DRAMeXchange估计,明年DRAM的价格将比本年下降15%~20%,Nand闪存的价格将会下降25%~30%之多。汉阳大学交融电子工程系朴在勤传授暗示,“虽然需求群体其实不不异,但由于心理因素等的影响,价格下滑将不成制止”。 如今三星电子已经开端引进消费10纳米级以下新一代DRAM的极紫外光刻(EUV)消费线,SK海力士也将在年底开端量产96层4D Nand闪存半导体。三星电子存储芯片事业部负责营销的专务全世元(音)暗示,“我们将扩大高端DRAM消费线,持续主导超高速、大容量、超省电的存储芯片开展趋势”。 韩国中央日报中文网 http://cn.joins.com